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3) Qual a principal diferença entre as caracteristicas de uma chave simples e as de um diodo ideal?
R: O DIODO IDEAL PODE CONDUZIR EM UM ÚNICO SENTIDO
MATERIAIS SEMICONDUTORES
4) Defina com suas próprias palavras semicondutor, resistividade, resistencia de corpo do diodo e resistencia ohmica de contato?
R: SEMICONDUTOR = é o material que possui nível de condutividade entre o de um bom condutor e o de um isolante.
RESISITIVIDADE = Quanto mais baixa for a resistividade mais facilmente o material permite a passagem de uma carga eléctrica.É utilizado quando se compara os niveis de resisitencia dos materiais.
6) Esboce a estrutura atomica do cobre e discuta porque ele é um bom condutor e como sua estrutura é diferente da do germanio e silicio.
O que caracteriza o material bom condutor é o fato de os elétrons de valência (por exemplo, o cobre possui um elétron na última camada) estarem fracamente ligados ao átomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo
7) Defina intrínseco, extrinsecos e ligação covalente e coeficiente de temperatura negativo.
R: INTRINSECO = SÃO SEMICONDUTORES QUE POSSUEM UM NIVEL MUITO BAIXO DE IMPUREZAS.
EXTRINSECOS = SÃO OS QUE FORAM EXPOSTOS A UM PROCESSO DE DOPAGEM.
LIGAÇÃO COVALENTE = UMA LIGAÇÃO DE ATOMOS ESTABELECIDA PELO COMPARTILHAMENTO DE ELÉTRONS ENTRE ÁTOMOS VIZINHOS.
COEFICIENTE DE TEMPERATURA NEGATIVO = a resistência cai com o aumento da temperatura.
MATERIAIS EXTRÍNSECOS - DOS TIPOS n E p
12) Descreva a diferença entre os semicondutores do tipo n e do tipo p.
R: TIPO N = O material do tipo n é formado pela adição de átomos DOADORES que possuem 5 ELETRONS de valência para estabelecer um alto nivel de eletrons relativamente livres.
O ELÉTRON É O PORTADOR MAJORITARIO E A LACUNA É O PORTADOR MINORITÁRIO.
TIPO P = O material do tipo p é formado pela adição de átomos RECEPTORES com 3 ELÉTRONS de valência que estabelecem um alto nível de lacunas no material.
A LACUNA É O PORTADOR MAJORITÁRIO E O ELÉTRON É O MINORITÁRIO.
13) Descreva a diferença entre as impurezas doadoras e aceitadoras.
R: PUREZAS DOADORAS = impurezas difundidas com 5 ELÉTRONS de valência
PUREZAS ACEITADORAS = impurezas difundidas com 3 ELÉTRONS de valência
14) Descreva a diferença entre portador majoritário e minoritário.
MAJORITÁRIO = é o portador que prevalece no material.
MINORITÁRIO = é o portador de menor numero no material.
DIODO SEMICONDUTOR
18) Descreva com suas próprias palavras as condições estabelecidas pelas situações de polarização direta e reversa em um diodo de junção p-n e como elas afetam a corrente resultante.
R: POLARIZAÇÃO DIRETA = a corrente no diodo aumenta exponencialmente com o aumento da tensão no diodo.
POLARIZAÇÃO REVERSA = a corrente no diodo é de saturação reversa (praticamente dobra o valor para cada aumento de 10®C na temperatura), que é muito pequena, até que ocorra a ruptura por efeito Zener e a corrente flua no sentido oposto ao indicado pelo símbolo do diodo.
TENSÃO LIMIAR
Silício = 0,7 V - até 200°C
Germânio = 0,3V até 100°C
A unica desvantagem do silicio é a maior tensão de polarização direta necessária para alcançar a região mais alta de condução.