Electro

Classificado em Outras materias

Escrito em em português com um tamanho de 5,15 KB.

DIODO IDEAL

3) Qual a principal diferença entre as caracteristicas de uma chave simples e as de um diodo ideal?

R: O DIODO IDEAL PODE CONDUZIR EM UM ÚNICO SENTIDO

MATERIAIS SEMICONDUTORES

4) Defina com suas próprias palavras semicondutor, resistividade, resistencia de corpo do diodo e resistencia ohmica de contato?

R: SEMICONDUTOR = é o material que possui nível de condutividade entre o de um bom condutor e o de um isolante.

RESISITIVIDADE = Quanto mais baixa for a resistividade mais facilmente o material permite a passagem de uma carga eléctrica.É utilizado quando se compara os niveis de resisitencia dos materiais.

6) Esboce a estrutura atomica do cobre e discuta porque ele é um bom condutor e como sua estrutura é diferente da do germanio e silicio.
O que caracteriza o material bom condutor é o fato de os elétrons de valência (por exemplo, o cobre possui um elétron na última camada) estarem fracamente ligados ao átomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo

7) Defina intrínseco, extrinsecos e ligação covalente  e coeficiente de temperatura negativo.

R: INTRINSECO = SÃO SEMICONDUTORES QUE POSSUEM UM NIVEL MUITO BAIXO DE IMPUREZAS.

EXTRINSECOS = SÃO OS QUE FORAM EXPOSTOS A UM PROCESSO DE DOPAGEM.

LIGAÇÃO COVALENTE = UMA LIGAÇÃO DE ATOMOS ESTABELECIDA PELO COMPARTILHAMENTO DE ELÉTRONS ENTRE ÁTOMOS VIZINHOS.

COEFICIENTE DE TEMPERATURA NEGATIVO = a resistência cai com o aumento da temperatura.

MATERIAIS EXTRÍNSECOS - DOS TIPOS n E p

12) Descreva a diferença entre os semicondutores do tipo n e do tipo p.

R: TIPO N = O material do tipo n é formado pela adição de átomos DOADORES que possuem 5 ELETRONS de valência para estabelecer um alto nivel de eletrons relativamente livres.

O ELÉTRON É O PORTADOR MAJORITARIO E A LACUNA É O PORTADOR MINORITÁRIO.

TIPO P = O material do tipo p é formado pela adição de átomos RECEPTORES com 3 ELÉTRONS de valência que estabelecem um alto nível de lacunas no material.

 A LACUNA É O PORTADOR MAJORITÁRIO E O ELÉTRON É O MINORITÁRIO.

13) Descreva a diferença entre as impurezas doadoras e aceitadoras.

R: PUREZAS DOADORAS = impurezas difundidas com 5 ELÉTRONS de valência

PUREZAS ACEITADORAS = impurezas difundidas com 3 ELÉTRONS de valência

14) Descreva a diferença entre portador majoritário e minoritário.

MAJORITÁRIO = é o portador que prevalece no material.

 MINORITÁRIO = é o portador de menor numero no material.

DIODO SEMICONDUTOR

18) Descreva com suas próprias palavras as condições estabelecidas pelas situações  de polarização direta e reversa em um diodo de junção p-n e como elas afetam a corrente resultante.

R: POLARIZAÇÃO DIRETA = a corrente no diodo aumenta exponencialmente com o aumento da tensão no diodo.

POLARIZAÇÃO REVERSA = a corrente no diodo é de saturação reversa (praticamente dobra o valor para cada aumento de 10®C na temperatura), que é muito pequena, até que ocorra a ruptura por efeito Zener e a corrente flua no sentido oposto ao indicado pelo símbolo do diodo.

TENSÃO LIMIAR

Silício = 0,7 V - até 200°C

Germânio = 0,3V até 100°C

A unica desvantagem do silicio é a maior tensão de polarização direta necessária para alcançar a região mais alta de condução.

Entradas relacionadas: