Eletrônica de Potência: Dispositivos Semicondutores
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Quais são as diferenças nas características dos BJTs e MOSFETs?
Os transistores bipolares de alta potência são comuns em conversores de energia em frequências abaixo de 10 kHz. Sua aplicação é eficaz nas especificações de potência até 1200 V, 400 A. Um transistor bipolar tem três terminais: emissor, base e coletor, que normalmente funciona como um interruptor na configuração de emissor comum.
Enquanto a base de um transistor NPN tiver um potencial maior do que o emissor e a corrente de base for grande o suficiente para conduzir o transistor na região de saturação, o transistor permanecerá ligado sempre que a junção do coletor para o emissor estiver corretamente polarizada.
A queda para a frente de um transistor de condução... Continue a ler "Eletrônica de Potência: Dispositivos Semicondutores" »